Наноинженеры создают новые формы магнитной памяти

Наноинженеры создают новые формы магнитной памяти Устройства памяти на основе магнита являются одной из основных технологий компьютерной индустрии, но инженеры уже работают над созданием новых форм магнитной памяти, которая будет быстрее, меньше и более энергосберегающей, чем сегодняшняя «Flash» и «SDRAM» памяти, сообщает «WordScience.org». Команды из Национального института стандартов и технологий (National Institute of Standards and Technology), университета штата Мэриленд (University of Maryland Nanocenter) и Королевского технологического института (Royal Institute of Technology) в Швеции разработали новый инструмент — метод для обнаружения малейших дефектов в магнитных структурах (всего 1/10 микрометра), даже если рассматриваемая область спрятана в многослойном электронном устройстве. Методика продемонстрированная на «NIST Center for Nanoscale Technology» (CNST) опирается на работы учёных из университета штата Огайо. Идея состоит в том, чтобы заманить в ловушку спиновые волны — в виде тонкой плёнки. Пойманные в ловушку спиновые волны предоставляют учёным новый мощный инструмент для неразрушающего измерения свойств магнитных материалов и поиска наноразмерных дефектов, которые могут вызвать сбои памяти, особенно в многослойных магнитных системах, таких как типичный жёсткий диск, где дефекты могут быть спрятаны изнутри. Согласно «NIST» исследователю Robert McMichael, когда намагничивание материала оставлено в покое, оно походит на поверхность водоёма в безветренный день. Пруд состоит из небольших магнитных моментов, которые прибывают с квантово-механическими электронами. Стоит только провести по поверхности пруда куском коряги, в данном случае микроволны, как поверхность начнёт рябить (спиновые волны начнут толкать друг друга). «Хитрость состоит том, чтобы настроить микроволны на частоту в непосредственной близости от полосы, где спиновые волны начнут распространяться — за исключением возле магнитного наконечника», — говорит McMichael. «Это похоже на замёрзший пруд, за исключением небольшой проделанной лунки, с которой мы можем работать для проверки магнитных свойств в различных её районах». В ловушке, спиновые волны создают дефекты в материале и этот эффект позволяет дефектам расположиться на расстоянии в 100 нанометров друг от друга. Предыдущие работы показали этот же эффект в магнитных спинах, ориентированных перпендикулярно к магнитной поверхности плёнки. Это означает, что отдельные спины сильно связаны со своими соседями, которые ограничивают разрешение. Новое исследование располагает дополнительными функциями — не тесно связанные магнитные спины выстраиваются друг с другом в одну линию. Эта структура не только показывает, сколько магнитных устройств будет структурировано, но и позволяет создать более жёсткую фокусировку и более высокое разрешение.
рейтинг новости: 
  • Не нравится
  • +4
  • Нравится
КОММЕНТИРОВАТЬ
иконка
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Опрос
Оцените работу движка
Статьи
.